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介绍了采用氮气离子束溅射,高纯石墨为靶材,沉积掺氮碳薄膜的设备及工艺技术.对薄膜的沉积过程作了讨论,采用X射线光电子能谱(XPS)技术等对薄膜结构成分、氮-碳、碳-碳原子之间的键以及结合能作了研究,在(111)单晶硅片上沉积掺氮碳薄膜,构成C/Si异质结,在100 mW/cm2光照下,开路电压达200 mV.