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利用反应磁控溅射方法，制备了调制周期相同而调制比不同的TiN／TaN多层膜．利用XRD，HRTEM和纳米压痕仪分别对多层膜的结构、微观状态和力学性能进行了系统研究．结果表明：调制结构不仅改变多层膜的生长速率，而且能导致多层膜择优生长取向的变化；界面应力的存在使得薄膜生长速率随沉积层厚度的增加而下降；在TiN／TaN多层膜中存在着各自独立外延生长的[111]和[100]两种取向的调制结构，且具有不同的调制周期；调制周期为6nm左右的TiN／TaN多层膜的硬度与弹性模量分别提高约50％与30％；在调制比为3：