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对500~1200 V统一工艺平台的VDMOS功率器件的钝化膜工艺进行了研究。通过选择钝化膜介质(SiON)工艺条件,选择合适的光刻条件,使该器件的表面极化低于50 V,大大增强了器件在高压工作环境下的可靠性。
高压高可靠性VDMOS功率器件钝化膜工艺研究
【摘 要】
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对500~1200 V统一工艺平台的VDMOS功率器件的钝化膜工艺进行了研究。通过选择钝化膜介质(SiON)工艺条件,选择合适的光刻条件,使该器件的表面极化低于50 V,大大增强了器件在高
【机 构】
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东南大学集成电路学院
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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2008年04期
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