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等价元素锗，掺入ＣＺＳｉ中后能提高硅中氧的固溶度和形成氧沉淀的临界半径，使得氧沉淀主要以均匀成核方式进行。同时，Ｇｅ容易与硅中空位表成较稳定的锗一空位复合体，降低了空位的浓度。本文简要地探讨了Ｇｅ在ＣＺＳｉ中抑制新施主形成的机理。
锗对CZ Si中新施主的影响
【摘 要】
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等价元素锗，掺入ＣＺＳｉ中后能提高硅中氧的固溶度和形成氧沉淀的临界半径，使得氧沉淀主要以均匀成核方式进行。同时，Ｇｅ容易与硅中空位表成较稳定的锗一空位复合体，降低了空位的浓度。本文
【机 构】
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河北工业大学半导体材料研究所
【出 处】
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人工晶体学报
【发表日期】
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2000年1期
【基金项目】
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国家自然科学基金,,河北省自然科学基金
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