【摘 要】
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基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法，用广义梯度近似（GGA）PBE 交换相关泛函，研究稀土Ce掺杂的SnO2材料能带结构和光学性质，对纯SnO2和掺杂后的能带结构、态密度以及
【机 构】
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东北大学机械工程与自动化学院真空与流体工程研究中心,辽宁 沈阳,110819
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基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法，用广义梯度近似（GGA）PBE 交换相关泛函，研究稀土Ce掺杂的SnO2材料能带结构和光学性质，对纯SnO2和掺杂后的能带结构、态密度以及光学性质进行了分析对比。结果表明，掺杂后材料均属直接跃迁半导体， Ce的4f轨道进入导带使导带底向低能端移动，禁带宽度变小，吸收光谱与介电函数虚部谱线相对应，吸收谱发生红移，峰强减弱，各峰值与电子跃迁吸收有关。因此，本文可对接下来的实验研究有一定借鉴作用。
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