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通过对半导体杂质饱和电离，灰锡半导体特性以及Ｇｕｎｎ效应等的解释，指出能态密度在研究半导体物理现象中的重要应用。
能态密度及其在解释半导体物理问题中的应用
【摘 要】
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通过对半导体杂质饱和电离，灰锡半导体特性以及Ｇｕｎｎ效应等的解释，指出能态密度在研究半导体物理现象中的重要应用。
【机 构】
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中国科学技术大学物理系
【出 处】
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大学物理
【发表日期】
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1998年4期
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