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Nd和Sb掺杂SnO2纳米导电粉体的性能研究

来源 :光谱实验室 | 被引量 : 0次 | 上传用户：a419132258

【摘 要】

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本文分别用XRD、TG/DSC/DTG和TEM等对Nd和Sb掺杂SnO2纳米导电粉体的性能进行了研究.XRD测量结果表明,Sb掺杂SnO2为替代型掺杂,Nd8+与Sn4+和O2-结合形成Nd2Sn2O7.TG/DSC/DTA结

【作 者】

：

刘小珍  桑文斌  陈捷  毛蕾 

【机 构】

：

上海大学材料科学与工程学院,上海大学材料科学与工程学院,复旦大学化学系,上海应用技术学院化工系

【出 处】

：

光谱实验室

【发表日期】

：

2005年2期

【关键词】

：

二氧化锡 铌 锑 X射线衍射 纳米导电粉体 电阻率 XRD Doping Conductive Powder. 

【基金项目】

：

上海市学科建设项目，上海市科委资助项目，上海市教委资助项目

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本文分别用XRD、TG/DSC/DTG和TEM等对Nd和Sb掺杂SnO2纳米导电粉体的性能进行了研究.XRD测量结果表明,Sb掺杂SnO2为替代型掺杂,Nd8+与Sn4+和O2-结合形成Nd2Sn2O7.TG/DSC/DTA结果表明,750℃以前前驱体已失去全部水分,并完全转化为氧化物.TEM测定结果表明,该粉体的粒径大约为20-30nm.用四探针法测定该粉体的电阻率为0.35Ω·cm.

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