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利用一种特有的半导体生长技术可以制造出具有宽光谱范围的高灵敏度探测器阵列。碲镉汞（HgCdTe）是一种经常用于探测红外辐射的半导体材料。通过改变Hg：Cd比值可以对HgCdTe的光谱范围进行控制，因此它非常适合各种各样的热成像应用。由于具有良好的光吸收能力和相对较低的暗电流，HgCdTe比诸如Ⅲ-Ⅴ族量子器件之类的其他技术更胜一筹。虽然人们通常认为HgCdTe是一种难以控制的材料，但是英国SELEXGalileo公司通过长达30年的研究工作，成功地用低成本制作工艺获得了优异的电，光性能。