【摘 要】
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以厚度为25～70μm的钛箔为衬底,直流磁控溅射法制备0.8～1.2μm的底电极Mo薄膜,而后以CuIn和CuGa靶交替溅射制得Cu-In-Ga金属预制膜,再以真空硒化法制得CuIn1-xGaxSe2薄膜。以化
【机 构】
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中国电子科技集团公司第十八研究所化学与物理电源技术重点实验室
【基金项目】
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天津市科技支撑计划重点项目(07ZCKFGX02700)
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以厚度为25～70μm的钛箔为衬底,直流磁控溅射法制备0.8～1.2μm的底电极Mo薄膜,而后以CuIn和CuGa靶交替溅射制得Cu-In-Ga金属预制膜,再以真空硒化法制得CuIn1-xGaxSe2薄膜。以化学浴沉积法制备缓冲层CdS,射频磁控溅射法制备ZnO和ZAO,直流磁控溅射法制备上电极,制得结构为衬底Ti/Mo/CIGS/CdS/ZnO/ZAO/Al,其光电转换效率达到7.3%（25℃,AM0）。
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