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为了解决存储单元的亚阚值泄漏电流问题，分析了在深亚微米下静态随机存储器（SRAM）6-T存储单元静态功耗产生的原因，提出了一种可以有效减小SRAM静态功耗浮动电源线的鲒构，并分析在此结构下最小与最优的单元数据保持电压；最后设计出SRAM的一款适用于此结构的高速低功耗灵敏放大器电路．仿真测试表明，使用浮动结构的SRAM的静态功耗较正常结构SRAM的静态功耗大大减小．