多层铜布线CMP后BTA去除和铜表面腐蚀抑制

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有机残余(主要是苯并三氮唑(BTA))和铜表面腐蚀是多层铜布线化学机械抛光(CMP)后晶圆缺陷中的两个重要问题,针对BTA去除和铜表面腐蚀抑制提出了一种新的碱性清洗剂。该清洗剂主要由FA/O螯合剂和FA/O表面活性剂组成。FA/O螯合剂对于去除BTA起主要作用,FA/O表面活性剂不仅能抑制腐蚀而且促进了BTA的去除。通过接触角测量、扫描电镜(SEM)、金相显微镜、静态腐蚀速率(SER)等实验及线上测试研究了该清洗剂的性能,结果表明清洗剂能有效去除BTA且在抑制铜表面腐蚀方面效果明显,有效解决了极大规模集成电路(GLSI)多层铜布线CMP后清洗中的多项技术难题。
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