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运用基于第一性原理密度泛函理论（DFT）的非平衡格林函数（NEGF）方法，对正十二面体富勒烯C20分子及其有缺陷的C20分子进行了电子输运性质的研究。通过计算得出了模拟的电子透射谱线。通过比较不同缺陷的分子的传导特性，获得了C20的电子输运特点。通过比较发现，几乎所有情况下缺陷器件的传输概率在电子能量大于0．52eV时都大约是10^-10，几乎没有电子透过，所以这种器件可以作为一种响应很好的电子开关；而器件中原子的缺失并没有造成电子传输路径的中断，在大多数情况下，在原子缺失处反而产生更多的传输路径，通路的