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讨论了SiC晶体升华法生长机理.从SiC晶体生长过程中的化学反应,热传输,物质传输以及缺陷的形成等方面进行了探讨.分析了化学计量比和保护气体压力对SiC单晶生长及其缺陷形成的影响.通过分析得到,要获得高质量的SiC单晶,必须有效地控制各种工艺参数.
Sic材料升华法生长机理
【摘 要】
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讨论了SiC晶体升华法生长机理.从SiC晶体生长过程中的化学反应,热传输,物质传输以及缺陷的形成等方面进行了探讨.分析了化学计量比和保护气体压力对SiC单晶生长及其缺陷形成
【机 构】
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西安电子科技大学技术物理学院,信息产业部电子第46研究所
【出 处】
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电子元件与材料
【发表日期】
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2002年12期
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