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电力电子器件作为电力电子技术的3个主要支撑点之一，其前进步伐在很大程度上决定着整个电力电子技术领域的发展。一代器件产生一代装置的论断不断被电力电子技术长足发展的历史所证实。从晶闸管取代真空闸流管，到功率MOS和IGBT取代GTR，再到目前的新生代IGBT以咄咄气势直逼GTO，以及宽禁带半导体电力电子器件向硅器件的庄严宣战，电力电子系统正是在器件的这些变革中一次又一次地提高着它的功率与频率之积，并将其节能效益推向极致。