功率场效应晶体管MOSFET（三）

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【摘要】

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MOSFET漏源之间的电流通过一个沟道(Channel)上的栅(gate)来控制。按MOSFET的原意，MOS代表金属(Metal)氧化物(Oxide)-半导体(Semiconductor)，即以金属层(M)的栅极隔着氧化层（O)

【作者】

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周志敏

【机构】

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山东莱芜钢铁集团公司动力部

【出处】

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电源世界

【发表日期】

：

2005年6期

【关键词】

：

功率场效应晶体管 MOSFET 功率半导体器件栅极电容

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MOSFET漏源之间的电流通过一个沟道(Channel)上的栅(gate)来控制。按MOSFET的原意，MOS代表金属(Metal)氧化物(Oxide)-半导体(Semiconductor)，即以金属层(M)的栅极隔着氧化层（O)利用电场的效应来控制半导体(S)。FET(Field Effect Transistor，场效应晶体管)的名字也由此而来。然而HEXFET中的栅极并不是金属做的，而是用多晶硅(polysilicon)来做栅极，这也就是图中所注明的硅栅极(silicon gate)。IR在1978

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