阳极生长温度对n—(Hg,Cd)Te纯氧化物的影响

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增加Cd_0.23Hg_0.77Te阳极氧化温度,能够大大改善其纯氧化物的绝缘性能。我们首次在50℃的标准乙烯乙二醇——KOH——电解液中生长出了阳极氧化物。这种氧化物的高频(1 MHz)电导率比室温生长的氧化物要低一个数量级。高的击穿电压(1.5MV/cm)和低的滞后位移(50mV)便显示出了上述结果。氧化物的其它参数,如固定电荷和快表面态以及良好的直流电阻率等,实际上保持不变,但低于室温生长的氧化物是极不稳定的。 Increasing the Cd_0.23Hg_0.77Te anodization temperature can greatly improve the insulation properties of its pure oxide. For the first time, we have grown anodic oxide in a standard ethylene glycol-KOH electrolyte at 50 ° C. The high frequency (1 MHz) conductivity of this oxide is one order of magnitude lower than room temperature grown oxides. High breakdown voltage (1.5MV / cm) and low hysteresis (50mV) will show the above results. Other oxide parameters, such as fixed charge and fast surface state, as well as good DC resistivity, remain virtually unchanged, but oxides grown below room temperature are extremely unstable.
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