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强场诱生并与电场奇异性相关的边界陷阱是影响深亚微米MOS器件可靠性的关键因素之一，文中研究了深亚微米MOS器件的随机电报信号（RTS）的时间特性，提出了一种通过正反向测量器件非饱和区噪声的手段来确定边界陷阱空间分布的新方法．对0．18μm×0．15μm nMOS器件的测量结果表明，利用该方法可以准确计算深亚微米器件氧化层陷阱的二维位置，还为深亚微米器件的可靠性评估提供了一种新的手段。