论文部分内容阅读
采用催化剂辅助化学气相沉积法，通过固-液-气（V-L-S）机理控制在硅衬底上制备了高质量的InN纳米线。利用FESEM、XRD、HRTEM对制备的InN纳米线的表面形貌和结构进行了表征。分析表明合成的InN纳米线为标准的六方纤锌矿结构，纳米线沿[102]方向生长。室温PL光谱表明，制备的InN纳米线在1580rlIn（o．78eV）处存在很强的无缺陷的带边发射，与六方纤锌矿结构InN单晶发射峰位置一致，表现出良好的光电性能。