论文部分内容阅读
以多晶碘化铅（PbI2）为原料,采用垂直布里奇曼法进行单晶生长,研究了PbI2单晶的生长特性,并研究了不同生长条件下晶体的宏观形貌、显微形貌、缺陷以及I-V特性。研究表明在温度梯度为5 K/cm时生长的碘化铅与温度梯度为0.6 K/cm以及1 K/cm生长的单晶相比,晶体质量较高,宏观缺陷和显微缺陷均有所减少,电阻率从6.7×108Ω·cm以及6.8×108Ω·cm提高至3.3×109Ω·cm可以有效提高晶体的探测效率。优化生长时的温度梯度有利于