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采用一种新的方法－激光－等离子体辅助气相沉积法，在自行研制的ＬＰＣＶＤ装置上进行了Ｓｉｈ４－ＮＨ３－Ｎ２体系沉积Ｓｉ３Ｎ４膜的工艺试验；采用正交试验法选择工艺参数，根据显微硬度评价膜层性能，并找出最佳工艺参数；激光功率密度为３２８Ｗ／ｃｍ＾２，ＲＦ电源功率为５０Ｗ，氮硅流量比为１０。结果表明，激光功率密度对膜层显微硬度的影响最大，ＲＦ电源功率的影响次之，氮硅流量比的影响最弱。