【摘 要】
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制备了组分xCuFeO-(1-x)PbZrTiO(其中x=0.1,0.2,0.3,1.0)的磁电复合材料.XRD实验表明,样品中只存在着CuFeO和PbZrTiO相.利用多功能摆测量了样品在低频下(0.1—6.4Hz)的内耗,
【机 构】
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南京大学物理系固体微结构国家重点实验室(南京)
【出 处】
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第七届全国内耗与超声衰减学术会议暨第六届中国物理学会内耗与超声衰减专业委员会全体大会
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制备了组分xCuFe<,2>O<,4>-(1-x)PbZr<,0.53>Ti<,0.47>O<,3>(其中x=0.1,0.2,0.3,1.0)的磁电复合材料.XRD实验表明,样品中只存在着CuFe<,2>O<,4>和PbZr<,0.53>Ti<,0.47>O<,3>相.利用多功能摆测量了样品在低频下(0.1—6.4Hz)的内耗,同时利用HP 4194A阻抗分析仪测量了样品低频(100Hz—1MHz)的介电损耗,分析了复合物中CuFe<,2>O<,4>和PZT对内耗及介电损耗分别所作的贡献.
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