【摘 要】
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利用X射线衍射分析技术结合差示扫描量热仪,研究了Z r在Co-S i合金非晶薄膜晶化和相变过程中的作用。结果表明:溅射态非晶Co-S i薄膜和Co-S i-Z r薄膜在加热到950℃的过程中,
【机 构】
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上海交通大学材料科学与工程学院,上海交通大学材料科学与工程学院,上海交通大学材料科学与工程学院,上海交通大学材料科学与工程学院 高温材料高温测试教育部重点实验室200030,高温材料高温测试教育部重点
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利用X射线衍射分析技术结合差示扫描量热仪,研究了Z r在Co-S i合金非晶薄膜晶化和相变过程中的作用。结果表明:溅射态非晶Co-S i薄膜和Co-S i-Z r薄膜在加热到950℃的过程中,均主要析出Co-S i和Co-S i2两种晶化相;Z r的加入增大了晶化激活能,抑制了晶化相的形核和长大,使薄膜能够在更高的温度范围保持稳定,但在高温800℃以上加热时,却使晶化相Co-S i向Co-S i2的转变加快。
The effect of Zr on the crystallization and phase transformation of amorphous Co-Si alloy thin films was investigated by X-ray diffraction analysis and differential scanning calorimetry. The results show that both Co-S i and Co-S i2 precipitates are mainly precipitated in the as-sputtered amorphous Co-S i and Co-S iZ r films when heated to 950 ℃. The crystallization activation energy is increased and the nucleation and growth of the crystallized phase are inhibited, so that the film can be kept stable in a higher temperature range. However, when heated to a temperature higher than 800 DEG C, the crystalline phase Co-S i to Co-S i2 change faster.
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