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本文对硼化过程的某些特征，硼－碳薄膜的性质和这些特性对托卡马克放电的影响作了介绍，硼化这里定义了在聚变堆第一壁上ａ－Ｂ／Ｃ：Ｈ薄膜的等离子体化学敢相沉积，由于硼化，氧，碳和重杂质（例如铁，镍和铬）受到抑制，氢再循环减弱，这就大大改善了托卡马克放电的性能，第一壁用硼化及限制器，偏滤器板和射频天线用厚Ｂ４Ｃ涂层的两级复合保护，进一步改善了托卡马克等离子体参数。