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详细研究了金属诱导非晶硅横向晶化时间、温度对晶化生长的影响.结果显示,晶化生长速度受温度影响较大,其最大生长速度在625℃附近.在较高的温度下,非晶自发成核和晶化,从而限制了金属诱导晶体生长速度.镍诱导源的长度和厚度也对晶体生长有影响,文中对其影响机理进行了讨论.
金属诱导非晶硅横向晶化形成的多晶硅的生长研究
【摘 要】
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详细研究了金属诱导非晶硅横向晶化时间、温度对晶化生长的影响.结果显示,晶化生长速度受温度影响较大,其最大生长速度在625℃附近.在较高的温度下,非晶自发成核和晶化,从而
【机 构】
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东南大学微电子中心,,香港科技大学电子与电机工程系中国香港香港科技大学电子与电机工程系
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2004年期
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