Micron推出第三代低延时内存

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Micron日前推出了第三代低延时DRAM(RLDRAM(R)3内存),一种高带宽内存技术.能更有效的传输网络信息。视频内容、移动应用和云计的蓬勃发展,产生了对更高效网络基础设施的需求,以便在线传输大量数据。与前几代产品相比,Micron新的RLDRAM3内存进一步提高了存储密度和速度。同时最大限度地减少了延迟,降低了功耗.在网络应用中性能更好。
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