【摘 要】
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对航天某型号选用3DK104D型NPN硅外延平面小功率开关三极管补充筛选试验中参数超差问题进行了分析,采用非破坏和破坏性分析相结合的技术,对硅基开关晶体管的失效机理进行了研
【机 构】
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上海微小卫星工程中心,中国科学院微小卫星重点实验室,上海精密计量测试研究所,
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对航天某型号选用3DK104D型NPN硅外延平面小功率开关三极管补充筛选试验中参数超差问题进行了分析,采用非破坏和破坏性分析相结合的技术,对硅基开关晶体管的失效机理进行了研究,最终得出参数超差属批次性质量问题,予以剔除。
The parameter over-tolerance problem of 3DK104D type NPN silicon-on-silicon planar low power switch triode used in aerospace selection of a certain model is analyzed. The failure mechanism of silicon-based switch transistor is studied by the combination of non-destructive and destructive analysis , Finally concluded that the parameter tolerance is a lot of quality problems, to be removed.
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