【摘 要】
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通过电化学方法制备了聚亚甲基蓝/纳米二氧化硅复合膜修饰电极（PMB-nano-SiO2/GCE）,采用扫描电子显微镜（SEM）和交流阻抗法（EIS）对复合膜界面进行了表征,并研究了烟酰胺腺嘌呤二核苷
【机 构】
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汉中职业技术学院药学与医学技术系,陕西理工学院物理与电信工程学院
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通过电化学方法制备了聚亚甲基蓝/纳米二氧化硅复合膜修饰电极（PMB-nano-SiO2/GCE）,采用扫描电子显微镜（SEM）和交流阻抗法（EIS）对复合膜界面进行了表征,并研究了烟酰胺腺嘌呤二核苷酸（NADH）在修饰电极表面的电化学行为。结果表明,在pH 7.0的磷酸盐缓冲溶液中,NADH氧化峰电位降低和峰电流明显增加,表明该修饰电极对NADH具有良好的电催化氧化性能。NADH浓度在1.0～100.0μmol/L浓度范围内与峰电流呈良好的线性关系,相关系数为0.997。
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