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本文用 X 射线形貌术研究了生长速度不同的 TGS 晶体的缺陷,得到了与浸蚀法一致的结果;比较发现,快速生长的 TGS 晶体中缺陷密度较高;并对缺陷的性质和形成原因进行了讨论。文章还指出了快速生长的晶体与正常晶体性能间的差别主要是由于晶体中缺陷密度的不同引起的。
快速生长的TGS晶体缺陷的X射线形貌术研究
【摘 要】
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本文用 X 射线形貌术研究了生长速度不同的 TGS 晶体的缺陷,得到了与浸蚀法一致的结果;比较发现,快速生长的 TGS 晶体中缺陷密度较高;并对缺陷的性质和形成原因进行了讨论。
【机 构】
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山东大学晶体材料研究所,山东大学晶体材料研究所济南,250100,济南,250100
【出 处】
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人工晶体学报
【发表日期】
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1993年3期
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