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<正> 为了显示Mg2SiO4晶体的缺陷分布,我们试验了不同的腐蚀剂,结果发现NaOH是一种较为理想的腐蚀剂,在一定条件下,它能清晰地显示出位错的形态与分布。同时,由位错蚀斑的形状还发现,晶体中主要存在两种类型的位错,一类蚀斑呈方形,另一类呈三角形。这两种类形的位错主要分布于晶体的边缘部分。在晶体的中间部位主要缺陷则是夹杂物。通过