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提出了一种1.8V、70mA片上集成的低功耗无电容型LDO(Low Dropout)电路。电路中采用了一级增益自举运放作为误差放大器,通过消除零点的密勒补偿技术提高了环路稳定性;带隙基准源(BGR)采用了线性化V舵技术进行高阶补偿,可以获得温度稳定性更好的BGR,降低了BGR对线性调整率的影响。该设计采用HHNEC0.13肛mCMOS工艺(其中VTHN≈0.78V、VTHP≈-0.9V),整个芯片面积为0.33mm×0.34mm。测试结果显示:在2.5V~5.5V电源供电下,LDO输出的线性调整