【摘 要】
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基于纳米级金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件结构,从基本的漂移扩散方程出发,分别建立了亚阈值区漏极电流模型和栅极电流模型。其中将频率与偏置依赖性的影响显式地体
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基于纳米级金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件结构,从基本的漂移扩散方程出发,分别建立了亚阈值区漏极电流模型和栅极电流模型。其中将频率与偏置依赖性的影响显式地体现在模型中。通过对比分析发现亚阈值区漏极电流模型具有等比例缩小的可行性,栅极电流具有跟随性和频率依赖性。同时将所建模型的仿真结果与实验结果进行了比较,验证了模型准确性。
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