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利用扫描电子显微镜（SEM）、X射线双晶衍射谱（XRD）和光致发光谱（PL）对在4H—SiC单晶衬底上采用CVD同质外延的4H—SiC单晶薄膜的特性进行研究，发现外延层有很好的晶格结构和完整性。由于Al原位掺杂引起的晶格失配和衬底和外延的晶向偏离，在样品的衬底和外延的界面出现了约1μm的缓冲层，使得XRD摇摆曲线距主峰左侧约41arcs出现了强衍射峰。缓冲层中存在大量的堆垛缺陷和位错，引入缺陷能级，使室温PL测试为“绿带”发光。通过PL全片扫描发现缓冲层在整个样品中普遍存在且分布均匀。