【摘 要】
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采用Cl2/Ar作为刻蚀气体．研究了在感应耦合等离子体干法刻蚀GaN、Al0.27，Ga0.73N材料中工艺参数对刻蚀速率及选择比的影响．GaN与Al0.27Ga0.72N之间的刻蚀选择比随自偏压的增大而
【机 构】
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西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育郝重点实验室
【出 处】
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西安电子科技大学学报(自然科学版)
论文部分内容阅读
采用Cl2/Ar作为刻蚀气体．研究了在感应耦合等离子体干法刻蚀GaN、Al0.27，Ga0.73N材料中工艺参数对刻蚀速率及选择比的影响．GaN与Al0.27Ga0.72N之间的刻蚀选择比随自偏压的增大而减小．随感应耦合等离子体功率的增大变化不大．在Cl2／Ar为3：l的刻蚀气体中加入10％的O2对GaN刻蚀速率影响不大．却使Al0.27Ga0.73N刻蚀速率明显下降．从而提高了GaN与Al0.27Ga0.73N之间的刻蚀选择比．对比了采用不同自偏压刻蚀的Al0.27Ga0.73N材料肖特基的特性．发现反
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