Poly-Si TFT理论模型的研究

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建立了一个poly-SiTFT的物理模型,并在此基础上分析了poly-Si材料特性对poly-SiTFT器件特性的影响。该模型考虑了晶粒和晶粒间界的不同特性,对泊松方程做了两维模型一维处理,用热电子发射模型重新定义了有效迁移率,推导出了poly-SiTFT电流电压关系的解析式。 A physical model of poly-SiTFT was established, and the effect of poly-Si material properties on the characteristics of poly-SiTFT devices was analyzed. The model takes into account the different properties of the grain boundaries and the grain boundaries. The Poisson equation is modeled as a one-dimensional two-dimensional model and the effective mobility is redefined by the thermal electron emission model. The relationship between the current and voltage of poly-SiTFT is deduced Analytic.
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