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利用分子束外延技术在P型Si（001）衬底上外延生长了单晶Tm2O3高k栅介质薄膜，分别在不同温度下测量了薄膜的电流-电压特性。基于变温电流-电压特性数据的漏电流输运机制分析表明，单晶Tm2O3栅介质薄膜在正偏压下的主要漏电流输运机制为肖特基发射，而在负偏压下的主要漏电流输运机制为Frenkel—Poole发射。