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采用改进的垂直布里奇曼法（MVB）分别生长了Al掺杂和In掺杂的Cd0.9Zn0．1Te晶体，并对比分析了掺杂元素对晶体性能的影响。在相同的工艺条件下，Al掺杂晶体获得了6×10^9～2×10^10Ω·cm的高电阻率，呈弱P或弱n型导电；In掺杂晶体电阻率在10^5Ω·cm数量级，呈扎型导电；Al掺杂晶体在波数4000-500cm^-1范围内红外透过率平直且较高，而In掺杂晶体红外透过率随波数下降而降低，在波数1250cm^-1处降至零。采用Al掺杂晶片制备的探测器