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对采用迅速热处理方法制备的重新氧化氮化n-MOSFET’s的断态栅电流Ig的温度特性进行了实验研究和理论分析,研究表明,在合适的氮化和重新氧化条件下,Ig随温度增另可保持几乎不变,这归因于重新氧化部分恢复了Si/SiO2界面处相应于空穴发射的氮化感应致使势垒高度的降低,从而使得在升高的温度下,热空穴主的增另几乎抵消了雪崩区空穴产生的减小。