BR2^+注入硅分子效应的椭偏谱多层分析

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:csl721
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把离子注入层设想成由50多层的微分薄层构成,用以研究BF2^+的分子效应,我们在1.6-5.0eV光子能量范围内,测量了不同剂量(3×10^13-5×10^15ion/cm^2),147keV BF2^+分子离子77K注入硅以及相应的B^+、F^+注入硅样品的椭偏谱。由实验则得的离子注入样品的椭偏光谱、多层薄膜光学模型、有效介质近似理论(EMA)和计算软件,可分析离子注入硅的损伤分布、表面自然氧化物的非均匀性和界面组份。其分析结果与背散射沟道技术和透射电子显微镜的测定结果相一致。研究中
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