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期刊论文
射频反应溅射SiO2薄膜的研究
射频反应溅射SiO2薄膜的研究
来源 :真空电子技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:go2mx
【摘 要】
:
研究了反应气体(O2)含量及其片温度对射频反应溅射SiO2膜光学性能及沉积速率的影响,并给出了膜层俄歇能谱分析结果。
【作 者】
:
张旭苹
陈国平
【机 构】
:
东南大学电子工程系
【出 处】
:
真空电子技术
【发表日期】
:
1994年3期
【关键词】
:
射频反应溅射
薄膜
二氧化硅
RF reactive sputtering
SiO_2 film
Auger spectroscopy
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研究了反应气体(O2)含量及其片温度对射频反应溅射SiO2膜光学性能及沉积速率的影响,并给出了膜层俄歇能谱分析结果。
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