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本文研究了注氟(F)与未注F两种不同工艺CMOS运算放大器电路的电离辐照响应特性及变化规律.结果显示:在MOSFET的栅场介质中适量注入F,能明显地抑制辐照感生氧化物电荷的积累和界面态密度的增长,减少漏电流及阈电压漂移,有助于改善CMOS运算放大器电路内部各单管的辐照敏感性,从而使运放电路的整体抗辐射能力得到显著提高.