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新型压电晶体La3Ga5SiO14因其低声速、零温度切向和良好的高温稳定性受到关注,但是昂贵的Ga2O3原料阻碍了它的工业应用。通过离子置换可获得具有langasite结构的多种新型压电晶体。综述介绍了置换La,Ga,Si形成的新型压电晶体的最新研究进展,比较分析了不同晶体的优势及其存在的问题。在这些新晶体中,由于Sr3Ga2Ge4O14(SGG)具有熔点较低、性能较高的综合优势,它有可能成为新一代表面波器件的重要候选材料。与提拉法相比,采用增蜗密封的下降法生长SGG单晶;可以显著提高晶体产率,降低成本。