SiC等薄膜发光器件的制备工艺

来源 :发光快报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:syris
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一、发明提要本发明的目的有三:一是提供一种在电场或低能电子、x—射线、UV、IR 以及可见光的激发下能够发射高强度可见光的新型发光元件;二是提供一种能够克服原有的诸如 CVD、涂复以及均匀 CVD 等的工艺缺点,在低温下制备出上述高发射强度发光元件的新型工艺;三是提供一种用低电压驱动并能获得高发光亮度的电致发光器件。本发明所提供的发光元件制作工艺,包括如下几个阶段:把含有硅烷及其衍生物的
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