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栅控效应即绝缘栅场效应MOS器件及集成电路的理论基础,是半导体工程中研究广泛手一个课题。pn结是整个半导体器件及集成电路的核心,尤其是双极型器件及电路赖以发展的基础,对它的研究受到最大的重视是理所当然的。但是,对于三种效应的互相结合和互相作用所产生的综合效应——栅控pn结表面效应,并没有受到应有的关注,在半导体器件尤其是大规模、超大规模集成电路迅猛发展的今天。对于这种效应的深入研究已经是势在必行的了。