【摘 要】
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基于内透明集电极(ITC)IGBT技术,提出了一种ITC超结IGBT(SJ-IGBT)结构。利用器件仿真工具,研究了SJ-IGBT的导通、开关、短路特性,并与普通平面栅ITC-IGBT技术指标进行了对比
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基于内透明集电极(ITC)IGBT技术,提出了一种ITC超结IGBT(SJ-IGBT)结构。利用器件仿真工具,研究了SJ-IGBT的导通、开关、短路特性,并与普通平面栅ITC-IGBT技术指标进行了对比。仿真重点侧重于局域载流子寿命控制层(LCLC)位置和控制层内载流子寿命对开关、短路特性的影响。结果显示,与ITC-IGBT相比,SJ-IGBT通态压降与关断损耗折中技术曲线更加靠近原点,综合性能指标优于普通ITC-IGBT;同时,SJ-IGBT短路特性对LCLC位置和载流子局域寿命变化敏感度明显下降。
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