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<正> 常要用能带间隙和高频折射率之间的相互关系来估算较新材料,如三元合金等的高频折射率,在这些合金的全部组份范围内,至今尚得不到这些数据。现把目前已知的关系式概括如下:最早提出的是以电介质的一般概念为基础的能级按ε_∞~2递减的Moss关系式;n~4E_g=常数(1)式(1)右边曾推荐和使用过的常数值为95、108和173。Ravindra等建议以下列线性关系式表示折射率随能隙的变化。n=4.084-0.62E_g(2)这些作者指明,对小能带间隙值,式(2)来自半导体介电常数的Penn模型,也来自Wemple的论述。Dionne等人的关系式则如下述: