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半导体器件上铜层化学机械抛光（CMP）的第一道工序一般需要使用一块硬抛光垫，在磨去阻挡层的工序中要用到软垫。在磨去阻挡层和电介质材料时，要把各家供应商的各种抛光液与这些抛光垫配合在一起使用。用于把铜大量地磨掉的硬垫，抛光后的平面度很好，而在磨掉阻挡层工序中使用的软垫，它所产生的缺陷很少，这是由于它本身的结构而且由于它很软的缘故。随着半导体器件变得越来越小、线条宽度缩小，半导体技术更不允许金属出现损失，也更不允许化学机械抛光出现缺陷。这些参数最终会影响器件的性能和成品率。因此市场需要一种化学机械抛光垫，它能