根据集邦科技(DRAMexchange)调查统计，2009年第二季，DRAM合约价在减产效应持续发酵，计算机系统厂商在低价持续拉高库存水位下，第二季DRAM合约季均价上涨23％。现货价格亦在减产效应下，供给吃紧，DDR2 1Gb 667MHz现货价格在5月一度站上1.27美元。许多市场人士乐观期待DDR2 1Gb在6月底站上1.5美元。但在5月下旬，传出华邦电释出低价颗粒到现货市场，而使6月现货价格维持在1.05～1.19间盘整。第二季0DR2 1Gb 667MHz现货季均价上涨27％，约1.12美元。
　　第二季各DRAM厂商营收在DRAM合约价上涨23％及现货价上涨27％下，皆较第一季增长，增长幅度约在10～50％之间。其中，三星(Samsung)以及尔必达(EIpida)，因第二季营收增长表现优于市场平均，使其第二季DRAM市占率增长近3％。第二季全球DRAM产业营收为40亿4，300万美元，与2009年第一季相比，上涨了27.1％。
　　
　　一、全球DRAM厂自有品牌内存营收排名
　　
　　根据集邦科技统计，2009年第二季DRAM产业营收上涨了27.1％，其中韩系厂商三星在合约价上涨，制程转进以及提高DDR3的生产比例下，其第二季DRAM营收涨幅高达40.7％，为11.79亿美元，市占率上升2.8％～29.2％，稳占DRAM产业龙头宝座。韩系厂商海力士(Hynix)第二季DRAM营收在季均价上涨20％、季位增长10％以及DRAM单位成本下降的影响下，营收上涨31.5％，为9.28亿美元，市占率上升O.7％～22.9％，位居DRAM产业营收第二名。
　　尔必达(EIpida)第二季营收涨幅高达50.1％，一举拉开与美光的差距，位居DRAM产业营收第三名，主要受益于DRAM季均价上涨27％以及位增长12％。美光(Micron)财报结算日期在7月初，其季营收是以3、4、5月3个月结算，因此合约均价与上季(12、1、2月)相较，仍下跌2％。根据集邦科技调查，DDR21Gb 667MHz合约均价在3月仅为O.88美元，而6月合约均价高达1.16美元，使得美光本季营收上涨幅度较其他各国DRAM厂为低，因此市占率由第一季的15.2％跌至13.6％，为第四名。
　　台系厂商方面，南亚第二季公告之DRAM营收约为2.3亿美元，位居第五名。其第二季营收增长34.5％，主要原因为合约与现货季均价上涨以及其代工厂华亚科(Inotera)产能利用率拉高所致。力晶第二季营收增长高达38.1％，主要受益于现货季均价大涨27％以及产能利用率从第一季的25％拉升至42％，因此本季市占率微幅增长。华邦第二季公告之DRAM营收约为8000万美元，较上季小幅增长8.6％，因增长幅度低于市场平均，故市占率下跌至2％。茂德(ProMOS)亦受惠于价格上涨，其季营收增长率达20.9％。