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通过不同的热处理工艺,得到了具有相近晶粒度不同片层宽度的全片层TiAl合金组织,并在T=800℃,σ=205MPa条件下,测试了其蠕变性能,研究了片层宽度对蠕变性能的影响规律及其机理.研究结果表明,全片层TiAl合金的初始蠕变量和最小蠕变速率随片层宽度的增加而提高.片层界面在蠕变过程中能向基体中发射位错,同时又能阻碍位错的发射和位错的运动。