【摘 要】
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针对钴阻挡层化学机械抛光(CMP)中,Cu、Co、TEOS等多种异质材料去除速率选择性差,采用络合剂柠檬酸钾配制多层铜布线钴阻挡层抛光液,研究了柠檬酸钾含量对Cu、Co、TEOS去除速率及选择性的影响,并在钴阻挡层图形片上进行了平坦化验证。结果表明,柠檬酸钾能够有效地提高Cu、Co、TEOS三者的去除速率,当磨料为5%(质量分数),H 2O2为5 mL/L,TT-LTK为0.5 mL/L,柠檬酸钾为30 mmol/L,pH=10时,铜、钴、TEOS的去除速率分别达到216,530,4
【机 构】
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河北工业大学电子信息工程学院,天津市电子材料与器件重点实验室
【基金项目】
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国家科技重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007),河北省自然科学基金(F2020202067)。
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针对钴阻挡层化学机械抛光(CMP)中,Cu、Co、TEOS等多种异质材料去除速率选择性差,采用络合剂柠檬酸钾配制多层铜布线钴阻挡层抛光液,研究了柠檬酸钾含量对Cu、Co、TEOS去除速率及选择性的影响,并在钴阻挡层图形片上进行了平坦化验证。结果表明,柠檬酸钾能够有效地提高Cu、Co、TEOS三者的去除速率,当磨料为5%(质量分数),H 2O2为5 mL/L,TT-LTK为0.5 mL/L,柠檬酸钾为30 mmol/L,pH=10时,铜、钴、TEOS的去除速率分别达到216,530,4
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