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采用分子束外延技术（ＭＢＥ）生长了具有ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格缓冲层的单量子阱和多量子阱材料。采用ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格缓冲层掩埋衬底缺陷，获得的量子阱结构材料成功地用于制作量子阱激光器。波长为７７８ｎｍ的激光器，最低阈值电流为３０ｍＡ，室温下线性光功率大于２０ｍＷ。
分子束外延具有GaAs／AlGaAs超晶格缓冲层的量子阱材料
【摘 要】
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采用分子束外延技术（ＭＢＥ）生长了具有ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格缓冲层的单量子阱和多量子阱材料。采用ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格缓冲层掩埋衬底缺陷，获得的量子阱结构材料成功地用于制作量子阱激光器。波长为７７８ｎｍ的激光器，最低
【机 构】
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山东工业大学电子工程系,中国科学院半导体研究所
【出 处】
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科技通报
【发表日期】
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1997年6期
【基金项目】
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山东省科委资助
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